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SQS415ENW-T1_GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SQS415ENW-T1_GE3 |
| Descripción: | MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8W |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 16.1mOhm @ 12A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 62.5W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8W |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 82nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4825pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 16A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 420 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.87 | $0.85 | $0.84 |
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