La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto
SIRA24DP-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIRA24DP-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | +20V, -16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.4mOhm @ 15A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 62.5W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2650pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 60A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 767 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.86 | $0.84 | $0.83 |
Solicitar presupuesto
Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible
Hallazgos de gangas
