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RJM0603JSC-00#13
| Fabricantes: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | RJM0603JSC-00#13 |
| Descripción: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Renesas Electronics America |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Empaquetado | - |
| Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 54W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 20-HSOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 43nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2600pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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