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NTMFD4C86NT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: NTMFD4C86NT1G
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.4mOhm @ 30A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1153pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.3A, 18.1A

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Hallazgos de gangas

NTMFD4C85NT1G
ON Semiconductor
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IPG20N06S415ATMA1
Infineon Technologies
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CTLDM7120-M832DS TR
Central Semiconductor Corp
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IPG20N06S4L14ATMA1
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SSM6N48FU,RF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
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AON5820_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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