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NTMFS6H818NT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTMFS6H818NT1G
Descripción: TRENCH 8 80V NFET
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 190µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 46nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3100pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Ta), 123A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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