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FDMS86202ET120

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDMS86202ET120
Descripción: MOSFET N-CH 120V POWER56
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores Power56
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 64nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 120V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4585pF @ 60V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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