Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FCB199N65S3 |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SuperFET® III |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 1.4mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 199mOhm @ 7A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 98W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | D²PAK (TO-263) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 30nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1225pF @ 400V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 14A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.37 | $1.34 | $1.32 |