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IPB65R310CFDAATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB65R310CFDAATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO263-3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 440µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 310mOhm @ 4.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 104.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 41nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1110pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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