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APTMC120TAM33CTPAG

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: APTMC120TAM33CTPAG
Descripción: MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Empaquetado Bulk
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 370W
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso SP6
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 3mA (Typ)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 33mOhm @ 60A, 20V
Paquete de dispositivos de proveedores SP6-P
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 148nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2850pF @ 1000V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 78A (Tc)

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