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APTMC120AM16CD3AG
| Fabricantes: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | APTMC120AM16CD3AG |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Empaquetado | Bulk |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 625W |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | D-3 Module |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | D3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 246nC @ 20V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4750pF @ 1000V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 131A (Tc) |
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| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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