La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

APTCV60HM45RT3G

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: APTCV60HM45RT3G
Descripción: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Single Phase Bridge Rectifier
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 250W
Configuración Full Bridge Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso SP3
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores SP3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 3.15nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 250µA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 0 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$63.53 $62.26 $61.01

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

FS35R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$63.4
APTGT200A60T3AG
Microsemi Corporation
$67.93
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation
$67.89
FP25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$67.82
FS75R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
$70.31
MWI25-12A7T
IXYS
$71