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APTGT200A60T3AG

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: APTGT200A60T3AG
Descripción: IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 750W
Configuración Half Bridge
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso SP3
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores SP3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 290A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 12.3nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 250µA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

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APTGT150A60T3AG
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