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NAND02GR3B2DZA6E

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: NAND02GR3B2DZA6E
Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología FLASH - NAND
Tiempo de acceso 45ns
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 63-TFBGA
Número de pieza base NAND02G
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 63-VFBGA (9.5x12)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 45ns

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NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
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NAND01GW3B2BZA6E
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Micron Technology Inc.
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IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
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71V30L35TFI
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