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NAND01GW3B2CN6E

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: NAND01GW3B2CN6E
Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología FLASH - NAND
Tiempo de acceso 25ns
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Número de pieza base NAND01G-A
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 48-TSOP
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns

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NAND01GW3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
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NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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