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IRFHM8342TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFHM8342TRPBF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.35V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 16mOhm @ 17A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 560pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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