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DMT10H025SK3-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMT10H025SK3-13
Descripción: MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.4W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1544pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 41.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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