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SIHP22N60E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHP22N60E-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 227W (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 86nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1920pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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