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SIA411DJ-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIA411DJ-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Disipación de energía (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 38nC @ 8V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1200pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
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| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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