La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

TPH3205WSBQA

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH3205WSBQA
Descripción: GANFET N-CH 650V 35A TO247
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.6V @ 700µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 62mOhm @ 22A, 8V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2200pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 503 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$20.88 $20.46 $20.05

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

IXFB60N80P
IXYS
$20.54
APT60N60BCSG
Microsemi Corporation
$20.54
IXFK360N15T2
IXYS
$20.52
IXFN360N10T
IXYS
$20.03
TP65H035WS
Transphorm
$18.59
IXFK230N20T
IXYS
$18.4