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TPH3205WSB

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH3205WSB
Descripción: GANFET N-CH 650V 36A TO247
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.6V @ 700µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 8V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2200pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 165 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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