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TP65H070LSG
| Fabricantes: | Transphorm |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TP65H070LSG |
| Descripción: | 650 V 25 A GAN FET |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TP65H070L |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 3-PowerDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4.8V @ 700µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 96W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 3-PQFN (8x8) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 600pF @ 400V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 25A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 290 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $11.80 | $11.56 | $11.33 |
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