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TRS10E65C,S1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica:	TRS10E65C,S1Q
Descripción:	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-
Empaquetado	Tube
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-2
Capacitancia : Vr, F	-
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220-2L
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0ns
Corriente - Fuga inversa - Vr	90µA @ 650V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.)	650V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	10A (DC)
Temperatura de funcionamiento - Unión	175°C (Max)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si	1.7V @ 10A