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TPN1R603PL,L1Q
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TPN1R603PL,L1Q |
| Descripción: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSIX-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.1V @ 300µA |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 104W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 41nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3900pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 80A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 4890 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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