Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TPH2010FNH,L1Q |
Descripción: | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVIII-H |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 200µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP Advance (5x5) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 250V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 600pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.6A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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