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TPH2010FNH,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH2010FNH,L1Q
Descripción: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP Advance (5x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 600pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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