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TPC8208(TE12L,Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: TPC8208(TE12L,Q)
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 450mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número de pieza base TPC*208
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP (5.5x6.0)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.5nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 780pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A

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