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TK20S06K3L(T6L1,NQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK20S06K3L(T6L1,NQ
Descripción: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 29mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 38W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK+
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 780pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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