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TK12P60W,RVQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK12P60W,RVQ
Descripción: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 600µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 340mOhm @ 5.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 100W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 890pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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TK12Q60W,S1VQ
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