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SSM6J512NU,LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SSM6J512NU,LF |
| Descripción: | MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVII |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V |
| Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-UDFNB (2x2) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1400pF @ 6V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
En stock 1625 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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