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SSM3J306T(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3J306T(TE85L,F)
Descripción: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 117mOhm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TSM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.5nC @ 15V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 280pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 929 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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RZF020P01TL
ROHM Semiconductor
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