Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SSM3J306T(TE85L,F) |
Descripción: | MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 117mOhm @ 1A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TSM |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.5nC @ 15V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 280pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.4A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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