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RN1904FE,LF(CT

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1904FE,LF(CT
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 47kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ES6
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 7328 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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RN1902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
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Nexperia USA Inc.
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MUN5330DW1T1G
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SBC846BPDW1T2G
ON Semiconductor
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SBC847BPDW1T1G
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SBC846BPDW1T1G
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