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RN1130MFV,L3F
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | RN1130MFV,L3F |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 150mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-723 |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Resistencia - Base (R1) | 100 kOhms |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | VESM |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 100 kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
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| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
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