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RN1110CT(TPL3)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1110CT(TPL3)
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 50mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-101, SOT-883
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 4.7 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores CST3
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 20V

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