Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | 2SK2009TE85LF |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.5V @ 100µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2Ohm @ 50MA, 2.5V |
Disipación de energía (máx.) | 200mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | SC-59-3 |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 70pF @ 3V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 200mA (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.55 | $0.54 | $0.53 |