La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

2SK2009TE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2SK2009TE85LF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Disipación de energía (máx.) 200mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-59-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 70pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V

En stock 250 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.55 $0.54 $0.53

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

RS1E200BNTB
ROHM Semiconductor
$0.55
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.
$0.55
RSR015P03TL
ROHM Semiconductor
$0
CSD23203W
Texas Instruments
$0
CPH6444-TL-W
ON Semiconductor
$0
MCQ4407-TP
Micro Commercial Co
$0.54