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2SC5201(T6MURATAFM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SC5201(T6MURATAFM
Descripción: TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 900mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92MOD
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1V @ 500mA, 20mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 20mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

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