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2SC3324GRTE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SC3324GRTE85LF
Descripción: TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Frecuencia - Transición 100MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 120V

En stock 1283 pcs

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