| Fabricantes: | Toshiba Memory | 
|---|---|
| Categoría de producto: | USB Flash Drives | 
| Ficha técnica: | TC58NVG1S3EBAI5 | 
| Descripción: | NAND Flash 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | 
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS | 
| Atributo | Valor de atributo | 
|---|---|
| Rohs | Details | 
| Marca | Toshiba Memory | 
| Velocidad | 25 ns | 
| Producto | NAND Flash | 
| Empaquetado | Tray | 
| Tamaño de la memoria | 2 Gbit | 
| Tipo de memoria | NAND | 
| Subcategoría | Memory & Data Storage | 
| Tipo de temporización | Synchronous | 
| Arquitectura | Block Erase | 
| Fabricante | Toshiba | 
| Organización | 256 M x 8 | 
| Tipo de producto | NAND Flash | 
| Ancho del bus de datos | 8 bit | 
| Tipo de interfaz | Parallel | 
| Estilo de montaje | SMD/SMT | 
| Paquete / Caso | TFBGA-63 | 
| Categoría de producto | NAND Flash | 
| Sensible a la humedad | Yes | 
| Corriente de suministro - Máx. | 30 mA | 
| Tensión de alimentación - Máx. | 3.6 V | 
| Tensión de alimentación - Min | 2.7 V | 
| Cantidad de paquetes de fábrica | 180 | 
| Frecuencia máxima del reloj | - | 
| Temperatura máxima de funcionamiento | + 85 C | 
| Temperatura mínima de funcionamiento | - 40 C | 
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 
|---|---|---|---|
| $4.90 | $4.80 | $4.71 |