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TC58CYG0S3HRAIG

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: TC58CYG0S3HRAIG
Descripción: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-WDFN Exposed Pad
Frecuencia del reloj 104MHz
Interfaz de memoria SPI
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C
Paquete de dispositivos de proveedores 8-WSON (6x8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 469 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.06 $3.98 $3.90

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Hallazgos de gangas

MR45V256AMAZAAT-L
ROHM Semiconductor
$0
AS4C32M16D3-12BIN
Alliance Memory, Inc.
$4.05
AS4C32M16D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
$4.05
AS1C4M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
$4.05
IS34ML01G084-TLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$3.95
MT28EW512ABA1LPC-0SIT TR
Micron Technology Inc.
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