| Fabricantes: | Texas Instruments |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | CSD86311W1723 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Texas Instruments |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1.5W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 12-UFBGA, DSBGA |
| Número de pieza base | CSD86311 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 39mOhm @ 2A, 8V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 12-DSBGA |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 585pF @ 12.5V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.5A |
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.11 | $1.09 | $1.07 |