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CSD25202W15

Fabricantes: Texas Instruments
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD25202W15
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Texas Instruments
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) -6V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 9-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) - Id 1.05V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 26mOhm @ 2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 9-DSBGA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1010pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 4286 pcs

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