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CSD19505KTT

Fabricantes: Texas Instruments
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD19505KTT
Descripción: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Texas Instruments
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DDPAK/TO-263-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 76nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7920pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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