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BQ4011LYMA-70N

Fabricantes: Texas Instruments
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: BQ4011LYMA-70N
Descripción: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Texas Instruments
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tiempo de acceso 70ns
Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria NVSRAM
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Número de pieza base BQ4011
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 28-DIP Module (18.42x37.72)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 70ns

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