Fabricantes: | Texas Instruments |
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Categoría de producto: | Memory |
Ficha técnica: | BQ4011LYMA-70N |
Descripción: | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Texas Instruments |
Categoría de producto | Memory |
Serie | - |
Empaquetado | Tray |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tiempo de acceso | 70ns |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Estado de la pieza | Obsolete |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Número de pieza base | BQ4011 |
Interfaz de memoria | Parallel |
Voltaje - Suministro | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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