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TSM60NB190CM2 RNG
| Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TSM60NB190CM2 RNG |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 190mOhm @ 6A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 150.6W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-263 (D²Pak) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 31nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1273pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 18A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
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| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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