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TSM230N06CI C0G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM230N06CI C0G
Descripción: MOSFET N-CHANNEL
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores ITO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 28nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1680pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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