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TSM061NA03CV RGG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM061NA03CV RGG
Descripción: MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.1mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 44.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PDFN (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 19.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1136pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 66A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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