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HS3JB R5G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: HS3JB R5G
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-214AA, SMB
Capacitancia : Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DO-214AA (SMB)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 75ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 10µA @ 600V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 600V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 3A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.7V @ 3A

En stock 3019 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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