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ES1JF R2G

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto:	Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica:	ES1JF R2G
Descripción:	DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto	Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie	-
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo	Standard
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	DO-221AC, SMA Flat Leads
Capacitancia : Vr, F	9pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores	SMAF
Tiempo de recuperación inversa (trr)	35ns
Corriente - Fuga inversa - Vr	5µA @ 600V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.)	600V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	1A
Temperatura de funcionamiento - Unión	-55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si	1.7V @ 1A