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R1LV0216BSB-5SI#B0

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: R1LV0216BSB-5SI#B0
Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SRAM
Tiempo de acceso 55ns
Tamaño de la memoria 2Mb (128K x 16)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Número de pieza base R1LV0216B
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 44-TSOP II
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 55ns

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