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SCT2160KEC

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCT2160KEC
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +22V, -6V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 2.5mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V
Disipación de energía (máx.) 165W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 62nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1200pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 18V

En stock 4787 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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