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R6008ANX

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R6008ANX
Descripción: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 50W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220FM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 680pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1234 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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