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IMD10AT108

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: IMD10AT108
Descripción: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base MD10A
Resistencia - Base (R1) 10kOhms, 100Ohms
Frecuencia - Transición 250MHz, 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SMT6
Resistencia - Base emisora (R2) 10kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA, 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 5089 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Hallazgos de gangas

IMB9AT110
ROHM Semiconductor
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PBLS1503Y,115
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NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
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